三星海力士同时瞄准NAND产线望驱动产业链受益

发布时间：2020-07-07 发布者：亚时财经

三星、SK海力士两大存储器巨头正积极布局投资NAND Flash事业。三星的韩国平泽园区P2已经开始执行NAND产线投资，5月已着手建立无尘室，计划2020年下半投产。另外，三星西安NAND厂二期总约150亿美元投资，第一阶段70亿美元的25个项目完工，第二阶段80亿美元投资，预计2021年完工。

（图源：网络）

SK海力士日前订立2020年发展愿景，包括在NAND领域展开快速追赶。SK海力士宣布在NAND事业布局上将采取超品格战略，即强化技术实力，扭转目前市场劣势，缩短落后差距。

值得注意的是，2019年6月26日，SK海力士公开表示，已完成堆栈128层NAND Flash产品的开发量产。就堆栈层数而言，SK海力士领先三星。目前，SK海力士正积极开发堆叠176层产品。

WSTS统计数据显示，存储器在半导体领域中单项市场规模最大，占比36.1%，NAND Flash占存储器细分领域的44%。当前全球存储器行业集中度极高，呈现寡头垄断局面，产能主要集中在三星、SK海力士和镁光。

两大国际半导体巨头同时瞄准NAND产线，有望驱动产业链公司受益，A股相关公司包括太极实业、兴森科技等。

太极实业旗下子公司海太半导体从事半导体产品的封装、封装测试、模组装配和模组测试等业务，为SK海力士提供服务。兴森科技在2018年9月正式通过三星认证，是大陆本土唯一的三星存储IC封装基板供应商。

东莞证券魏红梅分析称，5G手机换机潮和IDC建设升级对存储设备所形成的需求端具有较高确定性，有望带动NAND Flash需求迎来新一轮增长。

编辑：Amanda、唐浩

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